| Müfredat Adı | Ders Kodu | Ders Adı | Ders Türü | Dönem | AKTS | Teorik | Uygulama |
| Fizik - Fizik (İngilizce) - Doktora -2014 | PHYS8016 | Advanced Physics of Semiconductor Devices | Zorunlu | 1 | 8,00 | 3 | 0 |
Marmara Üniversitesi
Marmara Üniversitesi Eğitim-Öğretim Bilgi Sistemi
Programlar Hakkında Bilgi
Doktora - Fen Bilimleri Enstitüsü - Fizik
Dersin İçeriği
Dersin Amacı
Elementel ve III-V bileşik yarıiletkenler ile metal-oksit yarıiletkenler hakkında bilgi vermek. Yarıiletken tabanlı (Si veya GaAs)aygıt imali işlem basamaklarını öğretmek. Bazı devre elemanlarını (Diyot, MOS) imal ederek temel elektriksel kararkterizasyonlarını yapmak.
Öğrenim Türü
-
Dersin İçeriği
Elementel Yarıiletkenler (Silisyum ve Germanyum), Bileşik Yarıiletkenler (III-V Bileşik Yarıiletkenler (GaAs, InP, InSb, GaP), Oksit Yarıiletkenler (ZnO, TiO2, Fe3O4), Silicon Carbide), Aygıt İmali (Kristal Büyütme, Kristal Kesme ve Parlatma, Kimyasal Aşındırma, Plazma Yöntemiyle Aşındırma, Kaplama Yöntemleri, Yalıtkan Tabaka Büyütme, Fotorezist Uygulamaları), Tümleşik Aygıt İmali (Basitleştirilmiş Silisyum Tabanlı Mikro devre İmal İşlemi, İyon Ekme, Ekilmiş Katkılama Profili, Safsızlıkların Difüzyonu, Tümleşik Devreler)
Planlanan Öğrenme Aktiviteleri ve Metodları
Anlatım, problem çözümü, sunum, ödev, proje, sınıf içi tartışma.
Staj Durumu
-
Dersin Sunulduğu Dil
İngilizce
Ders Kitabı / Malzemesi / Önerilen Kaynaklar
-
Dersin Web Sayfası
-
Öğrenme Çıktıları
- silisyum, germanyum, GaAs ile çalışabilir
- kristalleri kesip parlatabilir
- kimyasal aşındırma yapabilir
- yalıtkan tabaka büyütebilir
- fotorezist işlemleri yapabilir
Haftalık Ayrıntılı Ders İçeriği
| Hafta | Teorik |
|---|---|
| 1 | Elementel Yarıiletkenler (Silisyum ve Germanyum), |
| 2 | Elementel Yarıiletkenler (Silisyum ve Germanyum), - devam ediyor |
| 3 | Bileşik Yarıiletkenler (III-V Bileşik Yarıiletkenler (GaAs, InP, InSb, GaP), |
| 4 | Bileşik Yarıiletkenler (III-V Bileşik Yarıiletkenler (GaAs, InP, InSb, GaP), devam ediyor |
| 5 | Oksit Yarıiletkenler (ZnO, TiO2, Fe3O4), Silicon Carbide), |
| 6 | Oksit Yarıiletkenler (ZnO, TiO2, Fe3O4), Silicon Carbide), devam ediyor |
| 7 | Aygıt İmali (Kristal Büyütme) |
| 8 | Ara Sınav Haftası |
| 9 | Aygıt İmali (Kristal Kesme ve Parlatma) |
| 10 | Aygıt İmali (Kimyasal Aşındırma) |
| 11 | Aygıt İmali (Plazma Yöntemiyle Aşındırma, Kaplama Yöntemleri) |
| 12 | Aygıt İmali (Yalıtkan Tabaka Büyütme, Fotorezist Uygulamaları) |
| 13 | Tümleşik Aygıt İmali (Basitleştirilmiş Silisyum Tabanlı Mikro devre İmal İşlemi) |
| 14 | Tümleşik Aygıt İmali (İyon Ekme, Ekilmiş Katkılama Profili) |
| 15 | Tümleşik Aygıt İmali (Safsızlıkların Difüzyonu, Tümleşik Devreler) |
| 16 | Ders Çalışma Haftası |
| 17 | Yarı Yıl Sonu Sınavı |
Değerlendirme
| Değerlendirme | Değer |
|---|---|
| Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri | 50 |
| Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri | 50 |
| Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri | Değer |
| Final Sınavı | 100 |
Öğrenci İş Yükü Hesabı
| Etkinlikler | Sayısı | Süresi (saat) | Toplam İş Yükü (saat) |
|---|